STMicroelectronics D2PAK (TO-263) IGBT, Nチャンネル 420 V, 30 A, 3-Pin

ボリュームディスカウント対象商品

50個小計 (リールカット)*

¥17,750.00

(税抜)

¥19,525.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 1,320 2025年12月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
50 - 470¥355.00
475 - 595¥309.60
600 - 795¥262.80
800 +¥217.00

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
810-3485P
メーカー型番:
STGB18N40LZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

30 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

420 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

16V

最大パワー消費

150 W

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

実装タイプ

表面実装

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

10.4 x 9.35 x 4.6mm

動作温度 Min

-55 °C

動作温度 Max

+175 °C

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。