インフィニオン 62 mmモジュール IGBTモジュール, Nチャンネル 600 V, 400 A, 7-Pin
- RS品番:
- 838-6876
- メーカー型番:
- FF300R06KE3B2HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計：*
￥15,028.00
(税抜)
￥16,530.80
(税込)
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥15,028 |
| 2 - 4 | ￥14,881 |
| 5 - 9 | ￥14,538 |
| 10 + | ￥14,114 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 838-6876
- メーカー型番:
- FF300R06KE3B2HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 400 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 600 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 940 W | |
| パッケージタイプ | 62 mmモジュール | |
| 回路構成 | シリーズ | |
| 実装タイプ | パネルマウント | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 7 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | シリーズ | |
| 寸法 | 106.4 x 61.4 x 29mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 400 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 600 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 940 W | ||
パッケージタイプ 62 mmモジュール | ||
回路構成 シリーズ | ||
実装タイプ パネルマウント | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 7 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 シリーズ | ||
寸法 106.4 x 61.4 x 29mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
Infineon IGBTモジュール
Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。