Infineon Nチャンネル IGBTモジュール 1200 V 75 A, 7-Pin 34 mmモジュール シリーズ
- RS品番:
- 906-3075
- メーカー型番:
- FF75R12RT4HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 906-3075
- メーカー型番:
- FF75R12RT4HOSA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon IGBTモジュール
Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。
パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 75 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 395 W |
パッケージタイプ | 34 mmモジュール |
回路構成 | シリーズ |
実装タイプ | パネルマウント |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 7 |
トランジスタ構成 | シリーズ |
寸法 | 94 x 34 x 30.2mm |
動作温度 Max | +150 °C |
動作温度 Min | -40 °C |
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