Infineon IGBT 1200 V 75 A, 3-Pin TO-247 シングル

Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ～ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStop™テクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。

• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V
• 超低VCEsat
• 低ターンオフ損失
• 短テール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。