STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 2.2 A エンハンスメント型, 8-Pin パッケージPowerFLAT (3.3 x 3.3) HV, STL3NM60N
- RS品番:
- 151-423P
- メーカー型番:
- STL3NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 151-423P
- メーカー型番:
- STL3NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | |
| シリーズ | MDmesh II | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 22W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV | ||
シリーズ MDmesh II | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 22W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MY
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、第2世代のMDmeshテクノロジーを使用して開発されています。この革新的なパワーMOSFETは、垂直構造と同社のストリップレイアウトを結合し、世界で最も低い抵抗を実現します。したがって、最も要求の厳しい高効率コンバータに適しています。
100% アバランシェ試験済み
低い入力キャパシタンスとゲート電荷