STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 54 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, STWA65N045M9

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RS品番:
151-781
メーカー型番:
STWA65N045M9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

54A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh M9

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

312W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

15.90 mm

規格 / 承認

No

長さ

20.10mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STマイクロエレクトロニクスのNチャネル・パワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術をベースにしており、面積あたりのRDS(on)が非常に低く、中高耐圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスの恩恵を受け、デバイス構造を強化します。その結果、シリコンベースの高速スイッチング超接合パワーMOSFETの中で、最も低いオン抵抗と低いゲート電荷値を実現し、優れた電力密度と優れた効率を必要とするアプリケーションに特に適しています。

より高い VDSS 定格

より高い dv/dt 能力

優れたスイッチング性能

駆動が容易

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