STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, シングル, 600 V, 72 A, 36 mΩ, 3ピン, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 195-2678
- メーカー型番:
- STWA75N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 195-2678
- メーカー型番:
- STWA75N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 600 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 72 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 36 mΩ | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.6 V | |
| 高さ | 21.1 mm | |
| 長さ | 15.9 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 25 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 446 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 5.1 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 600 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 72 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 36 mΩ | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.6 V | ||
高さ 21.1 mm | ||
長さ 15.9 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 25 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 446 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 5.1 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) * area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
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