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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	72 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	600 V
	パッケージタイプ	TO-247
	実装タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗	36 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4.75V
	最低ゲートしきい値電圧	3.25V
	最大パワー消費	446 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±25 V
	幅	5.1mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+150 °C
	長さ	15.9mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	117 nC @ 10 V
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	21.1mm
	順方向ダイオード電圧	1.6V

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 72 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 600 V
	パッケージタイプ TO-247
	実装タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗 36 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4.75V
	最低ゲートしきい値電圧 3.25V
	最大パワー消費 446 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±25 V
	幅 5.1mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +150 °C
	長さ 15.9mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 117 nC @ 10 V
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 21.1mm
	順方向ダイオード電圧 1.6V

Datasheet STWA75N60DM6

COO（原産国）:: CN

これらの高電圧 N チャネルパワー MOSFET は、 MDmesh ™ DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh 高速世代と比較して、非常に低い回復電荷（ Qrr ）、回復時間（ trr ）、および RDS （ on ） * 領域の優れた改善と、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジと ZVS 位相シフトコンバータの市場で最も効果的なスイッチング動作の 1 つを兼ね備えています。

高速リカバリボディダイオード
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗
超高dv/dt容量
ツェナー保護

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 72 A, スルーホール, 3 ピン, STWA75N60DM6

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