STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD13NM60N
- RS品番:
- 151-952P
- メーカー型番:
- STD13NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 500 - 995 | ￥470.20 |
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- RS品番:
- 151-952P
- メーカー型番:
- STD13NM60N
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | MDmesh II | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.36Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 幅 | 6.6 mm | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ MDmesh II | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.36Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 2.4mm | ||
幅 6.6 mm | ||
長さ 10.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、第2世代のMDmeshテクノロジーを使用して開発されています。この革新的なパワーMOSFETは、同社のストリップレイアウトに垂直構造を組み合わせて、世界で最も低い抵抗とゲート充電を実現します。したがって、最も要求の厳しい高効率コンバータに適しています。
100% アバランシェ試験済み
低い入力キャパシタンスとゲート電荷
低ゲート入力抵抗