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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 86 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
RS品番:
193-464P
メーカー型番:
IXFN102N30P
メーカー/ブランド名:
IXYS
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プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
193-464P
メーカー型番:
IXFN102N30P
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
IXFN 102N30P PolarHV HiPerFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
86 A
最大ドレイン-ソース間電圧
300 V
シリーズ
HiperFET, Polar
パッケージタイプ
SOT-227
実装タイプ
スクリュー マウント
ピン数
4
最大ドレイン-ソース間抵抗
33 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最大パワー消費
570000 mW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
224 nC @ 10 V
動作温度 Max
+150 °C
長さ
38.23mm
幅
25.42mm
トランジスタ素材
Si
高さ
9.6mm
動作温度 Min
-55 °C