onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 129 A エンハンスメント型, 29-Pin パッケージPIM29
- RS品番:
- 220-552P
- メーカー型番:
- NXH008T120M3F2PTHG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 220-552P
- メーカー型番:
- NXH008T120M3F2PTHG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 129A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | NXH | |
| パッケージ型式 | PIM29 | |
| ピン数 | 29 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 4.8V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 454nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22 V | |
| 最大許容損失Pd | 371W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 42.5 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 56.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 129A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ NXH | ||
パッケージ型式 PIM29 | ||
ピン数 29 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 4.8V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 454nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22 V | ||
最大許容損失Pd 371W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 42.5 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 56.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
オン・セミコンダクターのMOSFETは、8 mΩ/1200 V SiC MOSFET TNPCとHPS DBC付きサーミスタをF2パッケージに収めたパワー・モジュールです。
ハロゲン未使用
RoHS適合
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