onsemi MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 131.5 A, 2.8 mΩ, 68 nC, 10ピン, パッケージ：TCPAK10
- RS品番:
- 277-048
- メーカー型番:
- NTMJST2D6N08HTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 277-048
- メーカー型番:
- NTMJST2D6N08HTXG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 131.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | TCPAK10 | |
| シリーズ | NTM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 10 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最大許容損失Pd | 116W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.82V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 7.5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 131.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 TCPAK10 | ||
シリーズ NTM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 10 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 68nC | ||
最大許容損失Pd 116W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 0.82V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 7.5mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 5.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
オン・セミコンダクターのMOSFETは、定格電圧80V、オン抵抗2.8mΩ、電流容量131.5Aのパワー、シングルNチャネル・トランジスタです。コンパクトなTCPAK57 5x7mmパッケージは優れた熱性能を持ち、高効率のパワーマネージメント、モーター制御、DC-DC変換アプリケーションに適しています。
上面から放熱するトップクールパッケージを最適化
コンパクト設計のための小さなフットプリント
システム効率を向上させる超低RDS(on)
デバイスは鉛フリーでRoHS対応
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