onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 131.5 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージTCPAK10, NTMJST2D6N08HTXG

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梱包形態
RS品番:
277-048
メーカー型番:
NTMJST2D6N08HTXG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

131.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TCPAK10

シリーズ

NTM

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

116W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

68nC

順方向電圧 Vf

0.82V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

5.1mm

幅

7.5 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
オン・セミコンダクターのMOSFETは、定格電圧80V、オン抵抗2.8mΩ、電流容量131.5Aのパワー、シングルNチャネル・トランジスタです。コンパクトなTCPAK57 5x7mmパッケージは優れた熱性能を持ち、高効率のパワーマネージメント、モーター制御、DC-DC変換アプリケーションに適しています。

上面から放熱するトップクールパッケージを最適化

コンパクト設計のための小さなフットプリント

システム効率を向上させる超低RDS(on)

デバイスは鉛フリーでRoHS対応

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