Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 99 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE050N08NM5SCATMA1

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RS品番:
284-773
メーカー型番:
IQE050N08NM5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

99A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-WHSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

100W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、定格80VのOptiMOS 5パワートランジスタを備え、現代の電子アプリケーションの効率と性能を向上させるために特別に設計されています。優れた同期整流を実現し、エネルギー損失を最小限に抑え、全体的なシステムの信頼性を最大化します。低オン抵抗と優れた熱管理により、このトランジスタは要求の厳しい産業用途に最適で、性能を最適化するエンジニアに最適な選択肢となっています。幅広いアバランチテストと堅牢な構造により、過酷な環境での長寿命を約束し、グローバルなRoHS規格に準拠し、安全性とサステナビリティに対する強いコミットメントを確保します。

同期整流に最適化

回路統合を容易にするNチャンネル

低オン抵抗により、発熱を低減

優れた耐熱性により、過熱を防止

信頼性の高い100%アバランチテスト済み

鉛フリーリードめっきにより、環境に優しい製造を実現

規制に適合するハロゲンフリー構造

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