Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 132 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE030N06NM5SCATMA1

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RS品番:
284-759
メーカー型番:
IQE030N06NM5SCATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

132A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-WHSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

100W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

インフィニオンMOSFETは、同期整流用途で優れた設計のOptimos 5パワートランジスタを備え、比類のない性能と効率を発揮します。このパワーMOSFETは、堅牢な設計とART熱管理機能を備え、過酷な環境でも信頼性の高い動作を実現します。優れた耐熱性により、さまざまな産業用途に最適な選択肢となり、システムを最大限の信頼性と最小限の電力損失で動作させることができます。このコンポーネントは、RoHS規制に完全に準拠し、優れた機能を維持しながら、環境に優しい環境に優れています。

高効率な同期整流

効果的な性能を実現するNチャンネル構成

100%アバランチ信頼性テスト済み

ハロゲンフリーの素材により、安全な廃棄を実現

広い産業温度範囲をサポート

最小限のオンステート抵抗により、電力損失を軽減

環境サステナビリティのためのRoHS準拠

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