Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 610 A エンハンスメント型, 表面, 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD005N04NM6CGATMA1
- RS品番:
- 284-926
- メーカー型番:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,315.00
(税抜)
￥1,446.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 6 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | ￥657.50 | ￥1,315 |
| 20 - 198 | ￥592.00 | ￥1,184 |
| 200 - 998 | ￥545.50 | ￥1,091 |
| 1000 - 1998 | ￥505.50 | ￥1,011 |
| 2000 + | ￥453.50 | ￥907 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 284-926
- メーカー型番:
- IQD005N04NM6CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 610A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | PG-TTFN-9 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.47mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 129nC | |
| 最大許容損失Pd | 333W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 610A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 PG-TTFN-9 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.47mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 129nC | ||
最大許容損失Pd 333W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、OptiMOS 6パワートランジスタを備え、卓越した性能と堅牢な信頼性を兼ね備えており、要求の厳しい用途に最適な選択肢です。このNチャンネルMOSFETは、産業環境向けに設計されており、最大40Vのドレインソース電圧と最大610Aの優れた連続ドレイン定格電流を提供します。この半導体デバイスは、熱管理に優れているため、高温および高電力設定に最適で、長寿命と負荷下での一貫した性能を促進します。エコフレンドリーに対するコミットメントにより、RoHS準拠でハロゲンフリーで、現代の環境規格に適合しながら優れたエンジニアリング品質を実現しています。
信頼性を高める卓越した耐熱性
高ストレス環境での堅牢な性能
安全に関する100%アバランチテスト済み
電力管理における優れた効率
環境規制に準拠
高周波動作に最小限のスイッチング損失
コンパクト設計により基板スペースを削減
産業システムに簡単に統合
関連ページ
- Infineon MOSFET 610 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD005N04NM6CGATMA1
- Infineon MOSFET 445 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD009N06NM5CGATMA1
- Infineon MOSFET 323 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD016N08NM5CGATMA1
- Infineon MOSFET 273 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQD020N10NM5CGATMA1
- Infineon MOSFET 789 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH35N03LM5CGATMA1
- Infineon MOSFET 447 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH88N06LM5CGATMA1
- Infineon MOSFET 637 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQDH45N04LM6CGATMA1
- Infineon MOSFET 151 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージPG-TTFN-9, IQE022N06LM5CGATMA1