Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, -32 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC750P10LMATMA1
- RS品番:
- 285-055
- メーカー型番:
- ISC750P10LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 285-055
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- ISC750P10LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -32A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | OptiMOS Power Transistor | |
| パッケージ型式 | PG-TDSON-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 188W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -32A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ OptiMOS Power Transistor | ||
パッケージ型式 PG-TDSON-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 188W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンMOSFETは、産業用途で最適な効率と汎用性を実現するように設計された高度なパワーMOSFETです。堅牢なPチャンネル構成を備え、非常に低いオン抵抗を発揮し、高いドレイン電流に対応できるため、さまざまな要求の厳しい電子回路に適しています。ロジックレベルゲートドライブが組み込まれているため、低電圧システムでもシームレスに動作します。優れた熱性能と信頼性の高いアバランチ等級により、このパワートランジスタは、連続的なストレス下で耐久性と信頼性を必要とする用途に最適です。RoHS準拠とハロゲンフリーリードめっきにより、環境に配慮した設計に適し、競争の激しい市場でメーカーに安心を提供します。
電源管理用の優れたスイッチング性能
信頼性の高い100%アバランチテスト済み
低熱抵抗による効果的な散逸
マイコンインターフェイスを簡単に実現するロジックレベルドライブ
鉛フリーリードめっきにより、環境に適合
広範囲にわたる温度での安定した性能
高速用途に最適化
高パルス電流定格をサポート
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