Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT60R180CM8XTMA1

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RS品番:
349-259
メーカー型番:
IPT60R180CM8XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

119W

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC, RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolMOS 第 8 世代プラットフォームは、スーパージャンクション (SJ) 原理に基づいて設計され、Infineon Technologies が最初に開発した、高電圧パワー MOSFET 向けの革新的技術です。600V CoolMOS CM8 シリーズは、CoolMOS 7 の後継製品です。高速スイッチング SJ MOSFET の利点と、優れた使いやすさ（低リンギング傾向、すべての製品に実装された高速ボディダイオードによるハードスイッチングに対する優れた堅牢性、優れた ESD 性能）を兼ね備えています。さらに、CM8 の極めて低いスイッチング損失および伝導損失により、スイッチング用途の効率がさらに向上します。

ハードおよびソフトスイッチングトポロジに最適

低リンギング傾向による使いやすさと高速設計

高度なダイアタッチ技術により、熱管理を簡素化

幅広い用途と電力範囲に最適

より小さなフットプリントの製品を使用することで実現した高出力密度ソリューション

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