Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 63 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT65R040CFD7XTMA1

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RS品番:
284-899
メーカー型番:
IPT65R040CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

63A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

97nC

最大許容損失Pd

347W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC

インフィニオンMOSFETは、高効率スイッチング用途向けに設計された最先端のMOSFETです。この製品は、優れた熱性能を示し、サーバーや通信セクターなどの要求の厳しい環境での使用に最適です。革新的なCoolMOS CFD7テクノロジーにより、特にLLCや位相シフトフルブリッジ用途などの共振スイッチングトポロジにおいて、優れた信頼性と効率を発揮します。このMOSFETは、スイッチング機能の向上と低オンステート抵抗により、その前身を上回り、電力密度を最適化し、設計の全体的な効率を向上させます。このデバイスは、産業用途の厳しい基準に適合するように設計されており、幅広い温度範囲で優れた性能を維持しながら、優れたハード整流強度を発揮します。

超高速ボディダイオードにより、スイッチング損失を最小限に抑制

クラス最高のRDS(on)で効率を向上

ハード整流に対する堅牢性により、信頼性を向上

安全のため、増加したバス電圧に対応

コンパクト設計で高電力密度に最適化

産業用SMPS用途向けの軽負荷条件で優れています

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