Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 38 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IGT65R045D2ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,765.00

(税抜)

￥1,941.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 9￥1,765
10 - 99￥1,588
100 - 499￥1,465
500 - 999￥1,358
1000 +￥1,218

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
351-968
メーカー型番:
IGT65R045D2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IGT65

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.054Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

131W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon CoolGaN は、電力変換用に設計された高効率の窒化ガリウム（GaN）トランジスタです。より高い電力密度を可能にし、システム BOM コストの削減に対応し、フォームファクターの小型化を促進します。ウェハー技術と完全自動化された生産ラインを使用して生産されるこの製品は、狭い生産公差と最高の製品品質を特徴としています。このため、民生用電子機器から産業用まで幅広い用途に適しています。

エンハンスメントモードトランジスタ

超高速スイッチング

逆回復電荷なし

逆導通が可能

低ゲート・低出力電荷

優れた通電耐久性

関連ページ