Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 69 A, 45 mΩ, 89 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-U07
- RS品番:
- 351-924
- メーカー型番:
- IMZC120R017M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- IMZC120R017M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 69A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| シリーズ | IMZC120 | |
| パッケージ型式 | PG-TO-247-4-U07 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 45mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 89nC | |
| 順方向電圧 Vf | 5.5V | |
| 最大許容損失Pd | 382W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 動作温度 Max | 200°C | |
| 幅 | 16mm | |
| 長さ | 23.5mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 69A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
シリーズ IMZC120 | ||
パッケージ型式 PG-TO-247-4-U07 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 89nC | ||
順方向電圧 Vf 5.5V | ||
最大許容損失Pd 382W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
動作温度 Max 200°C | ||
幅 16mm | ||
長さ 23.5mm | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22 | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンIMZC120シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 1,200V、連続ドレイン電流 69A - IMZC120R017M2HXKSA1
この高電圧NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのパワースイッチング向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、スルーホール基板アセンブリに適しており、産業および電力変換環境において高い耐電圧性能と大きな連続電流容量に対応します。
特長:
• ドレイン-ソース間定格電圧 1,200V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 69A により、高負荷動作に対応
• 45mΩ のRDS(on)により、動作時の導通損失を低減
• 最大許容電力 382W により、高出力処理に対応
• 標準ゲート電荷 89nC により、スイッチング性能を最適化
• VGS上限 25V により、一般的なゲート駆動との互換性とゲート保護に対応
• 連続ドレイン電流 69A により、高負荷動作に対応
• 45mΩ のRDS(on)により、動作時の導通損失を低減
• 最大許容電力 382W により、高出力処理に対応
• 標準ゲート電荷 89nC により、スイッチング性能を最適化
• VGS上限 25V により、一般的なゲート駆動との互換性とゲート保護に対応
用途
• 高電圧インバータおよびコンバータ段に適合
• 産業用モータ駆動の電力段に最適
• 高消費電力を必要とする主電源側電源で使用
• スイッチモード電源の一次側スイッチングに使用可能
• 再生可能エネルギー用インバータおよび蓄電システムに有用
• 産業用モータ駆動の電力段に最適
• 高消費電力を必要とする主電源側電源で使用
• スイッチモード電源の一次側スイッチングに使用可能
• 再生可能エネルギー用インバータおよび蓄電システムに有用
実装と放熱にはどのようなパッケージが適していますか?
このコンポーネントは、4ピンPG-TO-247-4-U07スルーホールパッケージで提供され、基板実装を簡素化し、熱管理のためのヒートシンクへの確実な取り付けが可能です。
極端な温度条件でどのような性能を発揮しますか?
-55~200°C で動作する仕様で、温度変化の大きい環境やジャンクション温度が高くなる環境で使用できます。
ゲート制御ではどのような駆動上の考慮が必要ですか?
標準ゲート電荷 89nC に対応するため、最大ゲート-ソース間定格電圧 25V を超えない範囲で、目的のスイッチング速度に必要な電流を十分にソースおよびシンクできるゲートドライバが必要です。
参照されている一般的な製造規格または試験規格はありますか?
このデバイスは、コンポーネント評価で使用される関連する認定および試験方法について、JEDEC47/20/22規格に適合しています。
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