Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 80 A, 22 mΩ, 71 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-U07

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RS品番:
351-925
メーカー型番:
IMZC120R022M2HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

パッケージ型式

PG-TO-247-4-U07

シリーズ

IMZC120

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

順方向電圧 Vf

5.5V

最大許容損失Pd

329W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

71nC

動作温度 Max

200°C

長さ

23.5mm

規格 / 承認

JEDEC47/20/22

幅

16mm

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC MOSFET ディスクリート 1200 V、22 mΩ G2 は、TO-247 4 ピン高沿面パッケージで、ジェネレーション 1 技術の長所をベースに大幅な改良を加え、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。AC-DC、DC-DC、DC-AC ステージのすべての一般的な組み合わせに対して、ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジの両方でより優れた性能を強化しました。

短絡耐時間 2 μs

ベンチマークゲートしきい値電圧 4.2 V

セルフターンオンに対する堅牢な耐性

超低スイッチング損失

より狭い VGS(th) パラメータ分布

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