Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 34 A, 40 mΩ, 39 nC, 4ピン, パッケージ：PG-TO-247-4-U07
- RS品番:
- 351-930
- メーカー型番:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 351-930
- メーカー型番:
- IMZC120R040M2HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.2kV | |
| シリーズ | IMZC120 | |
| パッケージ型式 | PG-TO-247-4-U07 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 218W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC47/20/22 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.2kV | ||
シリーズ IMZC120 | ||
パッケージ型式 PG-TO-247-4-U07 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 218W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 JEDEC47/20/22 | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンIMZC120シリーズMOSFET、最大許容電力 218W、最大ドレイン-ソース間電圧 1,200V - IMZC120R040M2HXKSA1
このNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、要求の厳しい電力変換環境向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。高いドレイン-ソース間耐圧と大きな連続電流処理能力が求められる機器のスルーホール実装向けで、過酷な条件に適した広い動作温度範囲に対応します。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 1,200V により、高電圧設計に対応
• 連続ドレイン電流 34A により、高負荷動作に対応
• 40mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 218W により、高出力スイッチングに対応
• 標準ゲート電荷 39nC により、スイッチングエネルギーを制御可能
• PG-TO-247-4スルーホールパッケージにより、試作時の組立を簡素化
• 連続ドレイン電流 34A により、高負荷動作に対応
• 40mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 許容電力 218W により、高出力スイッチングに対応
• 標準ゲート電荷 39nC により、スイッチングエネルギーを制御可能
• PG-TO-247-4スルーホールパッケージにより、試作時の組立を簡素化
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 大電流容量が求められるモータ駆動で使用
• 産業用インバータおよびスイッチモード用途に最適
• 重機のバッテリ充電システムに使用可能
• 実験室でのパワーエレクトロニクスの試験および開発に使用
• 大電流容量が求められるモータ駆動で使用
• 産業用インバータおよびスイッチモード用途に最適
• 重機のバッテリ充電システムに使用可能
• 実験室でのパワーエレクトロニクスの試験および開発に使用
このデバイスの、動作時に対応可能な周囲温度の上限と下限はどのくらいですか？
-55～175°C で動作する仕様で、温度変化の激しい環境で使用できます。
プリント基板にはどのようなパッケージと実装方式が必要ですか？
このデバイスはPG-TO-247-4スルーホールパッケージで提供され、適切なヒートシンクを使用したボルト固定またははんだ付け実装に対応します。
ゲート駆動要件はスイッチング設計にどのような影響を与えますか？
定格Vgsでの標準ゲート電荷は 39nC のため、設計者は、駆動電流を考慮しながら、スイッチング速度とEMIのバランスを取れるようゲートドライバの能力とゲート抵抗値を選定する必要があります。
デバイスの損傷を防ぐために守る必要がある電圧・電流上の制限は何ですか？
最大ゲート-ソース間電圧は 25V、最大ドレイン-ソース間電圧は 1,200V です。
動作中はこれらの絶対値を超えないようにする必要があります。
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