Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.2 kV, 49 A, 69 mΩ, 60 nC, 4ピン, パッケージ:PG-TO-247-4-U07

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RS品番:
351-927
メーカー型番:
IMZC120R026M2HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

49A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.2kV

パッケージ型式

PG-TO-247-4-U07

シリーズ

IMZC120

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

69mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

5.5V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

最大許容損失Pd

289W

動作温度 Max

200°C

長さ

23.5mm

幅

16mm

規格 / 承認

JEDEC47/20/22

自動車規格

なし

インフィニオンIMZC120シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 1,200V、連続ドレイン電流 49A - IMZC120R026M2HXKSA1


このMOSFETは、産業用電子機器の要求の厳しい電力変換用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。過酷な環境に適した広い動作温度範囲に対応し、スルーホール取り付け用にパッケージ化されているため、高い阻止電圧と大きな連続電流容量が求められる用途に堅牢なオプションを提供します。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 1,200V により、高電圧スイッチングに対応
• 連続ドレイン電流 49A により、大きな負荷電流に対応
• 69mΩ のRds(on)により、動作電流時の導通損失を低減
• 最大許容電力 289W により、大きな熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 60nC により、予測可能なスイッチング制御が可能
• ゲート-ソース間電圧上限 25V により、一般的なゲート駆動電圧に対応

用途


• 産業用インバータおよびモータ駆動の設計に適合
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• トラクションおよび再生可能エネルギーのパワーエレクトロニクスで使用
• ハードスイッチングおよびチョッパトポロジーに使用可能
• 熱管理用のスルーホールヒートシンク配置に使用

どのようなパッケージを採用しており、実装にはどのような影響がありますか?


TO-247-4スルーホール形式で提供され、ヒートシンクをボルトで確実に固定できるほか、プリント基板への実装も容易で、安定した機械的接続と熱的接続が可能です。

温度範囲はシステム内の配置にどのような影響を与えますか?


動作温度範囲は -55~200°C で、発熱部品の近くへの配置や、周囲温度の変動が大きい環境での使用が可能で、システムレベルですぐにディレーティングする必要がありません。

スイッチング性能を確保するため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか?


駆動回路ではゲート-ソース間電圧の上限 25V を超えないようにし、ゲート電荷 60nC を駆動するための十分な駆動能力を確保して、遷移時間とスイッチング損失を適切に制御する必要があります。

熱設計では許容電力をどのように考慮すべきですか?


熱管理では最大許容電力 289W を考慮する必要があり、

ジャンクション温度を安全な動作範囲内に維持するには、適切なヒートシンク、サーマルインターフェース材、および基板レイアウトが必要です。

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