Infineon MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 70 A, 0.03 Ω, 11 nC, 8ピン, パッケージ:PG-HSOF-8

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RS品番:
351-969
メーカー型番:
IGT65R025D2ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

IGT65

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.03Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

10V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11nC

最大許容損失Pd

236W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

インフィニオンIGT65シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 650V、連続ドレイン電流 70A - IGT65R025D2ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい産業環境向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。広い温度範囲で動作し、小型基板に適した表面実装パッケージで提供されます。このデバイスは、高い耐圧と大きな連続電流処理能力が求められる電力変換およびスイッチング用途向けです。

特長:


• ドレイン耐圧 650V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 70A により、継続的な負荷処理に対応
• 0.03Ω のRds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 236W により、熱設計の余裕を確保
• 標準ゲート電荷 11nC により、より高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート定格電圧 10V で、標準的なゲート駆動電圧に対応

用途


• 産業用スイッチング電源およびインバータに最適
• 高電圧システムのモータ制御段に適合
• 高電圧DC-DCコンバータでのエネルギー変換に使用
• パワーエレクトロニクスのハードスイッチングトポロジーに使用可能
• 通信機器の電力分配および補助電源に適合

どのようなパッケージ形状を採用しており、基板実装にはどのような影響がありますか?


このデバイスはPG-HSOF-8表面実装パッケージで提供され、複数の放熱用および電気接続用リードを備えながら、自動リフローはんだ付けと小型のプリント基板レイアウトに対応します。

安定した動作のため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか?


ゲート駆動電圧を ±10V 以内に保ち、低インピーダンスのリターン経路を設けることで、スイッチング過渡現象を最小限に抑え、予測可能なターンオン/ターンオフタイミングを確保します。

温度範囲は設置場所にどのような影響を与えますか?


定格動作温度範囲は -55~150°C で、基本的なスイッチング能力をディレーティングすることなく、コールドスタートと高温の産業用エンクロージャーの両方で使用できます。

連続動作ではどのような熱管理方法が推奨されますか?


パッケージ下に十分な銅箔面積または専用ヒートシンクを設け、適切なプリント基板サーマルビアを配置し、ジャンクション温度を安全な範囲内に維持できるようエアフローも考慮する必要があります。

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