Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 38 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIHR100N60E-T1-GE3

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RS品番:
653-079
メーカー型番:
SIHR100N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.105Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

最大許容損失Pd

347W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

動作温度 Max

150°C

幅

8 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay第4世代EシリーズパワーMOSFETは、高効率スイッチング用途向けに設計されています。コンパクトなPowerPAK 8 x 8LRパッケージに収められた低メリット数値(FOM)、低効果静電容量、最適化された熱性能を備えています。サーバー、通信、及びパワーファクタ補正電源での使用に最適で、過酷な環境でも信頼性の高い性能を発揮します。

スイッチング及び伝導損失の削減

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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