Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 38 A, 0.108 Ω, 35 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

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RS品番:
653-077
メーカー型番:
SIHR100N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerPAK

シリーズ

EF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.108Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

最大許容損失Pd

347W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

8mm

長さ

10.42mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流38 A - SIHR100N60EF-T1GE3


このパワーMOSFETは、表面実装電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチです。過酷な産業環境に適した幅広い温度範囲で動作し、堅牢なドレインソース電圧処理と高い消費電力が必要な用途向けに設計されています。このコンポーネントは、コンパクトなボードレイアウトと効果的な熱管理をサポートするための低プロファイルPowerPAKパッケージで提供されます。

特長:


• 600 Vの最大Vdsにより、高電圧スイッチング機能を実現 • 38 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理が可能 • 0.108 Ω Rds(on)により、定格電流での導通損失を最小限に抑制 • 347 Wの最大Pdにより、高消費電力のニーズをサポート • 標準35 nCのゲート充電により、効率的なスイッチング性能を実現

用途


• 高電圧スイッチング電源に最適 • 産業用モータ駆動インバータステージに最適 • ACシステムの力率補正回路に使用 • オートメーション機器のDC-DCコンバータに使用可能 • 配電ユニットの高電圧スイッチングに最適

ゲートドライブ電圧にはどのような制限を遵守する必要がありますか?


ゲートソース電圧は、ゲート誘電ストレスを防止するために30 Vを超えないでください。

熱耐性は動作制限とどのように関連していますか?


このデバイスは、最大150 °Cのジャンクション温度で動作する定格で、適切な基板ヒートシンクで高温条件下での継続動作を可能にします。

導入時の許容周囲温度範囲はどのくらいですか?


-55 °Cまでの動作をサポートし、低温の産業環境に適しています。

このパッケージには、基板接続用のピン数がありますか?


このコンポーネントは、PowerPAK表面実装パッケージの8ピン構成を使用しています。

これは自動車認定用ですか?


自動車規格認証に適合することは指定されていません。

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