Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 51 A, 0.084 Ω, 63 nC, 8ピン, パッケージ：8x8LR
- RS品番:
- 279-9929
- メーカー型番:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 279-9929
- メーカー型番:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 51A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | 8x8LR | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 500W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 8mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 51A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 8x8LR | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 500W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 8mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流51 A - SIHR080N60E-T1-GE3
このパワーMOSFETは、要求の厳しい産業用電子機器や電源システム向けに設計された高電圧スイッチングデバイスです。表面実装用に調整されたエンハンスメントモードNチャンネルトランジスタとして動作し、高電圧用途向けに堅牢な性能を発揮し、コンパクトな基板実装電源コンポーネントを必要とする環境に適しています。
特長：
• 高電圧スイッチング用の600 Vドレイン容量
• 重負荷向けの51 A連続電流処理
• 0.084 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 500 Wの熱ヘッドルーム消費電力
• 63 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大30 Vのゲートで一般的な駆動電圧に対応
• 重負荷向けの51 A連続電流処理
• 0.084 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 500 Wの熱ヘッドルーム消費電力
• 63 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大30 Vのゲートで一般的な駆動電圧に対応
用途
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• オートメーション機器のDC-DC変換に使用
• 電力管理システムのスイッチングステージに使用可能
• 過酷な環境での高温アセンブリで使用
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• オートメーション機器のDC-DC変換に使用
• 電力管理システムのスイッチングステージに使用可能
• 過酷な環境での高温アセンブリで使用
このデバイスは、動作中にどのような温度範囲に耐えられますか?
定格動作温度は-55°C～150°Cで、幅広い熱変動にさらされるシステムでの使用が可能です。
このデバイスは、プリント基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか?
8ピンの表面実装8 x 8LRパッケージで提供され、コンパクトな基板レイアウトと自動配置をサポートします。
どのようなゲートドライブを注意する必要がありますか?
ゲートは±30 Vを超えてはならない
設計者は、ゲート損傷を防止するために、ドライブ回路のVgsをこのしきい値内に制限する必要があります。
スイッチング動作は熱管理にどのような影響を与えますか?
標準的な63 nCのゲート充電は、スイッチング損失に影響を与え、高周波動作中の発熱に影響を与え、ヒートシンク又は基板銅要件を知らせます。
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