Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK, SIHR120N60EF-T1GE3

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RS品番:
653-081
メーカー型番:
SIHR120N60EF-T1GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

EF

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.125Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

8 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay第4世代EシリーズパワーMOSFETは、スイッチング効率を向上させるための高速ボディダイオードを備えています。低メリット数値(FOM)を実現し、効果的静電容量を低減し、スイッチング及び伝導損失を最小限に抑えることができます。PowerPAK 8 x 8LRパッケージに収納されているため、サーバー、通信、照明、産業、太陽光発電用途に最適です。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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