Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 78 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK, SIJ4406DP-T1-GE3

N

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RS品番:
653-105
メーカー型番:
SIJ4406DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

78A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SIJ4406DP

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00475Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

41.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.9nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

5.25 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

高さ

1.14mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大40 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK SO-8Lに組み込まれたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、非常に低いゲート充電(Qg)、低出力充電(Qoss)、優れたスイッチング効率を実現します。

鉛フリー

ハロゲンフリー

RoHS指令に準拠

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