Vishay シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 62.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK
- RS品番:
- 653-147
- メーカー型番:
- SIS4406DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 653-147
- メーカー型番:
- SIS4406DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 62.8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | SIS4406DN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00475Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23.7nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 33.7W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.30 mm | |
| 高さ | 0.41mm | |
| 長さ | 3.30mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 62.8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ SIS4406DN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00475Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23.7nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 33.7W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.30 mm | ||
高さ 0.41mm | ||
長さ 3.30mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay NチャンネルMOSFETは、コンパクトな電源システムの高効率スイッチング向けに設計されています。最大40 Vのドレインソース電圧をサポートします。PowerPAK 1212-8に組み込まれたTrenchFET Gen IVテクノロジーを採用し、低ゲート充電(Qg)、低出力充電(Qoss)、最適化されたスイッチング性能を実現します。
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS指令に準拠
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