Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 8 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP11N80AEF-GE3
- RS品番:
- 653-139
- メーカー型番:
- SIHP11N80AEF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計:*
¥16,326.00
(税抜)
¥17,958.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,000 は 2026年6月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ¥326.52 | ¥16,326 |
| 250 + | ¥319.98 | ¥15,999 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 653-139
- メーカー型番:
- SIHP11N80AEF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | EF | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.483Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 78W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ EF | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.483Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 78W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、連続ドレイン電流8 A - SIHP11N80AEF-GE3
このパワーMOSFETは、産業用電力変換および制御システム用に設計された高電圧スイッチングデバイスです。スルーホールTO‐220ABパッケージのNチャンネルエンハンスメントモードトランジスタとして動作し、要求の厳しい環境で基板レベルの取り付けと熱管理にディスクリートコンポーネントを必要とするエンジニアに実用的なオプションを提供します。
特長:
• 800 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 8 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • Rds(on) 0.483Ωで負荷下での導通損失を低減 • 78 Wの消費電力により、効果的な熱処理を実現 • 27 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングダイナミクスを実現 • 高温用途向けの最大動作温度: 150 °C
用途
• 産業用モータドライブフロントエンドに最適で、高電圧を処理 • 高電圧スイッチングエレメントを必要とする電源に最適 • 中電力電気システムのインバータステージに使用 • オートメーション機器のブレーキおよびスナバ回路に使用可能
安全な動作のために、どのようなゲート電圧範囲を遵守する必要がありますか?
このデバイスは、ゲート過度ストレスを避けるために、ソースに対して最大±30 V以内のゲートエクスクリューションを必要とします。
このパッケージは、集積されたボードの熱管理にどのような影響を与えますか?
TO‐220ABスルーホールフォーマットにより、背面タブへの直接ヒートシンクが可能になり、外部ヒートシンクへの伝導が向上し、適切な冷却下で78 Wの消費電力を除去するのに役立ちます。
どのような環境条件により、取り付けが制限されますか?
このコンポーネントは、-55 °C及び最大150 °Cのジャンクション温度で動作するように指定されています。
システムサーマル設計により、ジャンクション温度が150 °Cの制限値を下回るようにする必要があります。
ゲート充電数値から、どのようなスイッチング配慮が得られますか?
標準的な27 nCのゲート充電により、設計者はゲートドライバを選択し、ターンオン / ターンオフのタイミングを予測する際に、ドライブ電流要件とスイッチング損失を評価できます。
関連ページ
- Vishay MOSFET 20 A 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay シングルMOSFET 8 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
- Vishay MOSFET 22 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP150N60E-GE3
- Vishay MOSFET 47 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP054N65E-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP074N65E-GE3
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP155N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 33 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP110N65SF-GE3
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3
