Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, シングル, 500 V, 26 A, 0.145 Ω, 86 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 180-7790
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 180-7790
- メーカー型番:
- SIHP25N50E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 26A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.145Ω | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 幅 | 10.52mm | |
| 長さ | 14.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 6.71mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 26A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.145Ω | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
幅 10.52mm | ||
長さ 14.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 6.71mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
VishayシリーズEパワーMOSFET、500Vドレイン‐ソース電圧、26A連続ドレイン電流 - SIHP25N50E-GE3
このパワーMOSFETは、TO-220ABパッケージのNチャンネルシングルトランジスタで、高電圧スイッチングおよび電力変換作業向けに設計されています。広い周囲温度範囲で動作し、大きな電力処理と堅牢なゲートドライブ特性を必要とする用途向けに設計されています。
特長および利点：
• 500 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 26 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 最大消費電力250Wで高出力動作を実現
• 0.145Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 86nC標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 共通ゲートドライブ電圧を許容する最大30V Vgs
• 26 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現
• 最大消費電力250Wで高出力動作を実現
• 0.145Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 86nC標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 共通ゲートドライブ電圧を許容する最大30V Vgs
用途
• 産業用電源およびコンバータに最適
• インバータのスイッチモード電力トポロジに最適
• 500V対応を必要とするモータードライブ回路に使用
• 高電圧リレーおよび保護スイッチングに使用可能
• 高温環境でのディスクリートパワーステージで使用
• インバータのスイッチモード電力トポロジに最適
• 500V対応を必要とするモータードライブ回路に使用
• 高電圧リレーおよび保護スイッチングに使用可能
• 高温環境でのディスクリートパワーステージで使用
どのような温度範囲で動作しますか？
-55°C～150°Cで動作し、コールドスタートおよび高温動作条件に対応します。
パッケージは熱管理にどのような影響を与えますか?
TO-220ABフォーマットにより、ヒートシンクにボルトを取り付けることができ、熱放散性を向上させ、安定状態の耐熱性を向上させます。
どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
デバイスのゲートしきい値許容差を超えないように、ゲート-ソース間電圧を±30V以内に保つことができます。
このデバイスはマルチチップ実装用に設定されていますか?
このダイは、チップあたり1つのエレメントを備えているため、並列化には慎重な電流共有設計が必要です。
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