Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 20 A, 0.195 Ω, 90 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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RS品番:
239-5382
メーカー型番:
SIHP24N80AEF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.195Ω

最大許容損失Pd

208W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

90nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、ドレインソース電圧800V、連続ドレイン電流20A - SIHP24N80AEF-GE3


このパワーMOSFETは、スルーホールパワーエレクトロニクス向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。高電圧および高電流での堅牢なスイッチングを必要とする環境での使用を目的としており、非常に広い温度範囲で動作しながら、産業およびコンバータ用途向けに制御された導通および高速スイッチング動作を実現します。

特長:


• 800 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 20A により、大きな負荷電流に対応
• 0.195Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 208 Wの消費電力により、高出力動作が可能
• 標準90nCのゲート充電により、予測可能なスイッチングダイナミックを実現
• 最大30Vゲートソースによりゲートの完全性を保護

用途


• 高電圧DC-DCコンバータステージに最適
• 電源プライマリスイッチ機能に最適
• モータードライブフロントエンド回路に使用
• 産業用インバータのスイッチングに使用可能
• 実験室の高電圧テストリグに最適

どのようなパッケージと実装方式を採用していますか?


TO-220ABパッケージで提供され、スルーホール取り付け用に設計されており、ヒートシンクとシャーシ取り付けを簡単に行うことができます。

過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


このデバイスは、-55°C~150°Cまで動作し、幅広い周囲温度および高いジャンクション温度に対応します。

順方向電圧はスイッチング性能にどのように影響しますか?


1.2 Vの標準順方向電圧は、ボディダイオード伝導時の導通しきい値動作を示し、逆回復イベントやフリーホイールイベント時の損失計算に影響します。

このデバイスは自動車標準設計に適していますか?


自動車規格に適合するよう指定されておらず、自動車特有の要件に適合するとは考慮しないでください。

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