Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 20 V, 172 A, 0.0013 Ω, 24.6 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK

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RS品番:
653-148
メーカー型番:
SISS5208DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

172A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

SISS5208DN

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0013Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24.6nC

最大許容損失Pd

56.8W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

3.4mm

長さ

3.4mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

0.83mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay SISS5208DNシリーズシングルMOSFET、最大ドレインソース電圧20 V、最大連続ドレイン電流172 A - SISS5208DN-T1-GE3


このシングルMOSFETは、コンパクトな電源アセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、効率的な熱動作を維持しながら、高速スイッチングと大幅な連続ドレイン性能を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 172 A連続ドレイン電流により、高負荷処理が可能 • 20 Vドレインソース定格により、低電圧電源レールをサポート • 0.0013Ω Rds(on)により、導通損失を低減 • 24.6 nCのゲート充電により、制御されたスイッチングダイナミックを実現 • 56.8 Wの消費電力により、負荷時の熱ストレスを管理 • 150°Cの最高動作温度により、高い環境での使用が可能

用途


• オートメーション機器のモーター駆動段に最適 • 電源の高電流DC-DCコンバータに最適 • 産業用制御パネルの負荷スイッチングに使用 • ロボット工学におけるHブリッジ出力段に使用可能 • インバータモジュールの高出力MOSFETアレイと併用

ゲートドライバ設計では、どのようなゲート電圧範囲を計画する必要がありますか?


このデバイスは、最大8 Vのゲートソース電圧に対応しているため、この制限内でVgsを供給するゲートドライバは、安全な動作を保証します。

このパッケージは、基板レイアウトと熱経路にどのように影響しますか?


PowerPAK表面実装パッケージは、熱接続と電気接続を小さなフットプリントに集中させるため、デバイスの56.8 Wの電力損失を排出するために、銅注入と熱バイアスを推奨します。

信頼性の高い動作を実現するために、どのような環境条件が許容されていますか?


このコンポーネントは、-55 °Cから最大150 °Cまで動作する定格で、過酷な産業温度範囲での使用が可能です。

突入電流や過渡電流を設計においてどのように考慮すべきですか?


0.0013Ωの低Rds(on)と高い連続電流容量により、過度のストレスを防止するために、サージ能力と基板トレース電流定格に対して過度のストレスを評価する必要があります。

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