Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISS27DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1323
メーカー型番:
SISS27DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

92nC

最大許容損失Pd

57W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

3.3 mm

規格 / 承認

No

高さ

0.78mm

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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