型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 51 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR4604LDP-T1-GE3

RS品番:: 252-0276
メーカー型番:: SIR4604LDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 51 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR4604LDP-T1-GE3

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RS品番:: 252-0276
メーカー型番:: SIR4604LDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	51A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	PowerPAK SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.01mΩ
	チャンネルモード	デプレッション型
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大許容損失Pd	83W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	56nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	幅	5.15 mm
	長さ	6.15mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 51A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 PowerPAK SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.01mΩ
	チャンネルモードデプレッション型
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大許容損失Pd 83W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 56nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	幅 5.15 mm
	長さ 6.15mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen VパワーMOSFET、

非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)

RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM

100 %Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 51 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR4604LDP-T1-GE3

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