ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル 100 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 (TL), RD3P08BBLHRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-355
メーカー型番:
RD3P08BBLHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

RD3P08BBLHRB

パッケージ型式

TO-252 (TL)

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

142W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55nC

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

6.8 mm

長さ

10.50mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
JP
ロームのNチャンネルパワーMOSFETは、効率的なスイッチングを必要とする堅牢な用途向けに設計されています。最大定格電圧100V、連続ドレイン電流80Aのこのコンポーネントは、信頼性の高い電源管理を実現します。わずか6.2 mΩの低オン抵抗により、動作中のエネルギー損失を最小限に抑えることができ、これは電源効率の向上に不可欠です。幅広いコミュニティ電流用途に対応するこのMOSFETは、AEC-Q101認定を受けており、車載環境に適しています。コンパクトなDPAKパッケージにより、狭いスペースでの熱性能が向上します。

低オン抵抗によりエネルギー効率を向上し、発熱を低減

100 V のドレイン・ソース定格電圧により、多様な高電圧用途に対応

80 Aの連続ドレイン電流により、重い負荷下でも信頼性の高い性能を発揮

AEC Q101に準拠し、車載用途で高い信頼性を保証

コンパクトなTO-252パッケージにより、優れた熱管理と省スペース設計を実現

堅牢なアバランシェ機能により、過渡条件下での安全性を保証

142Wの高い消費電力により、要求の厳しい動作ニーズに対応

鉛フリーメッキとRoHSに準拠し、環境に優しい実践に沿った設計

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