ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル -30 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, RD3E08BBJHRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-362
メーカー型番:
RD3E08BBJHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

シリーズ

RD3E08BBJHRB

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

最大許容損失Pd

142W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

高さ

2.3mm

幅

6.8 mm

長さ

10.50mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームパワーMOSFETは、低オン抵抗と高電流処理能力を必要とする要求の厳しい用途向けに設計されています。この堅牢な装置は、最大ドレインソース電圧-30V、連続ドレイン電流±80Aで動作し、電源管理システムで効率的な性能を発揮します。その革新的な構造には、わずか1.05°C/Wの熱抵抗が含まれており、信頼性を最適化し、効果的な放熱を促進します。AEC-Q101 認定を受けたこの MOSFET は、車載用途に適しており、極端な温度変動の影響を受けやすい環境でも活躍し、厳しい条件下でも信頼性の高い動作を保証します。

3.7 mΩ の低オン抵抗を実現し、効率を高め、エネルギー損失を最小限に抑えます

パルスドレイン電流容量: ±160 A、高需要用途に対応

+5/-20 Vのゲートソース定格電圧により、汎用性の高い動作と堅牢な制御を実現

効率的な熱管理とコンパクトなフットプリントを実現する DPAK パッケージで組み立て可能

高ストレスの電気環境での信頼性を向上させるためにアバランシェ試験済み

AEC Q101 認定を受けており、安全が重要な自動車用途に最適です。

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