ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 40 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, RD3G08DBKHRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-464
メーカー型番:
RD3G08DBKHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

RD3G08DBKHRB

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

76W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

高さ

2.3mm

幅

6.8 mm

長さ

10.50mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームのパワーMOSFETは、優れた効率と高電流容量が要求される高性能用途向けに設計されています。最大連続ドレイン電流80Aで40Vで動作するように設計されたこのMOSFETは、さまざまな動作条件下で優れた信頼性と性能を発揮します。さらに、4.1mΩの低オン抵抗によりエネルギー損失を最小限に抑え、最適な熱性能と最大76Wの消費電力を保証し、自動車および産業分野の要求の厳しい用途に理想的な選択肢となっています。

低オン抵抗により、動作中のエネルギー損失を低減

80 Aの高い連続ドレイン電流能力により、堅牢な性能を発揮

76 Wの定格電力損失により、高出力用途で信頼性の高い動作を実現

アバランシェ定格電流30A、過渡条件下での耐久性を保証

自動車用途での信頼性を確保するAEC Q101認定

鉛フリーメッキを施したRoHS準拠で、環境基準に適合

効率的な取り扱いを実現するエンボステープなどの梱包仕様

多様な回路設計に対応する複数の定格電圧

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