ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 60 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, RD3L08DBKHRBTL

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梱包形態
RS品番:
687-465
メーカー型番:
RD3L08DBKHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

RD3L08DBKHRB

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

76W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.50mm

幅

6.8 mm

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームのパワーMOSFETは、要求の厳しい用途で高性能を発揮するように設計されており、低オン抵抗と堅牢な遮断電圧により、信頼性の高いスイッチング機能を提供します。最大80Aの連続ドレイン電流に対応するよう設計されており、最大ドレインソース電圧は60Vで、このコンポーネントは効率と耐久性を保証します。鉛フリーメッキを施し、AEC-Q101認定を受けているため、最新の業界標準に準拠し、自動車の電子機器、照明、その他の電源管理システムに最適です。この MOSFET は、卓越した熱性能と信頼性を兼ね備えており、回路設計を最適化したいエンジニアに最適な選択肢となっています。

7.5 mΩの低オン抵抗により、電力効率を最大化

AEC Q101 認定により、車載用途で高い信頼性を保証

100% アバランシェテストに合格し、耐久性を向上

最大80Aの連続ドレイン電流に対応

60 Vの最大ドレインソース定格電圧により、大きなオーバーヘッドを実現

鉛フリーメッキはRoHSに準拠し、環境責任を促進

汎用性の高いパッケージングにより、さまざまな用途に対応

ADAS、情報システム、ボディコントロール用途に最適

低ゲート電荷特性により、スイッチング時間を短縮

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