ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 60 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 (TL), RD3L08CBLHRBTL

N
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梱包形態
RS品番:
687-440
メーカー型番:
RD3L08CBLHRBTL
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

RD3L08CBLHRB

パッケージ型式

TO-252 (TL)

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

最大許容損失Pd

96W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.50mm

6.8 mm

高さ

2.3mm

規格 / 承認

RoHS, AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

ロームのNチャンネルパワーMOSFETは、要求の厳しい用途向けに設計されており、優れた効率と信頼性を提供します。最大ドレインソース間電圧60V、連続ドレイン電流80Aのこのデバイスは、自動車および家電製品のスイッチングおよび増幅作業に最適です。わずか5.3mΩの低オン抵抗により、電力効率を最大化し、堅牢な構造により過酷な動作環境にも耐えることができます。また、AEC-Q101認定に適合し、安全性を高める100%アバランシェテストを実現します。この MOSFET は、高度な回路用の強力なソリューションであり、性能と厳しいコンプライアンス基準を融合させています。

5.3 mΩの低オン抵抗により、エネルギー効率を大幅に向上

最大80Aの連続ドレイン電流に対応し、要求の厳しい用途で堅牢な性能を発揮

100% アバランシェテストにより、動作中の安定性と信頼性を確保

AEC Q101認定のため、車載用途に最適

ジャンクションの動作温度範囲が-55°C~+175°Cと広く、さまざまな条件下で信頼性の高い性能を発揮

ジャンクションケースの熱抵抗を内蔵し、電力処理能力を最適化

鉛フリーでRoHSに準拠し、現代の環境基準を満たしています。

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