STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージH2PAK-7, SCT018H65G3-7

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RS品番:
719-465
メーカー型番:
SCT018H65G3-7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

H2PAK-7

シリーズ

Sct

取付タイプ

スルーホール

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

385W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

79.4nC

順方向電圧 Vf

2.6V

動作温度 Max

175°C

長さ

15.25mm

高さ

4.8mm

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。

非常に高速で堅牢なボディダイオード

全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)

高速スイッチング性能

効率を高めるソース検知ピン

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