STMicroelectronics パワーMOSFET, Pチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, SGT350R70GTK

N
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥267.00

(税抜)

¥293.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 264 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 24¥267
25 - 99¥238
100 - 499¥213
500 - 999¥180
1000 +¥168

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
719-638
メーカー型番:
SGT350R70GTK
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

Pチャンネル

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

G-HEMT

取付タイプ

表面実装

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.5nC

最大許容損失Pd

47W

最大ゲートソース電圧Vgs

-1.4 to 7 V

動作温度 Max

150°C

6.7 mm

長さ

6.2mm

高さ

2.4mm

COO(原産国):
CN

関連ページ