STMicroelectronics パワーMOSFET, Pチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, SGT350R70GTK
- RS品番:
- 719-638
- メーカー型番:
- SGT350R70GTK
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 719-638
- メーカー型番:
- SGT350R70GTK
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | Pチャンネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | G-HEMT | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 350mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 47W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -1.4 to 7 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.7 mm | |
| 長さ | 6.2mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ Pチャンネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ G-HEMT | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 350mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最大許容損失Pd 47W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -1.4 to 7 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.7 mm | ||
長さ 6.2mm | ||
高さ 2.4mm | ||
- COO(原産国):
- CN
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