Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 55 A, 0.0095 Ω, 19.3 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- RS品番:
- 735-132
- メーカー型番:
- SISD5110DN-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 735-132
- メーカー型番:
- SISD5110DN-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | SiS | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0095Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 100V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ SiS | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0095Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 100V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1mm | ||
幅 4mm | ||
長さ 4mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishay NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFETは、AIパワーサーバーソリューションや高密度電源での低損失スイッチング向けに最適化されています。100 Vのドレインソース定格を実現し、10 Vのゲートドライブで最大9.5 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、導通損失を最小限に抑えることができます。
連続ドレイン電流: 55 A @ TC = 25 °C
最大消費電力: 57 W
最大29 nCの低総ゲート電荷
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