Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 80 V, 70.6 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS586DN-T1-UE3

N

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RS品番:
735-242
メーカー型番:
SISS586DN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

70.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0085Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.5nC

最大許容損失Pd

65.7W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE
Vishay NチャンネルMOSFETは、幅広い電子用途で効率的な電力スイッチングを実現するように設計されています。徹底的なゲート抵抗と非クランプ誘導型スイッチングテストにより、信頼性の高い性能を発揮し、過酷な条件下でも堅牢な動作を保証します。このデバイスは、RoHS準拠のハロゲンフリー構造により、環境に配慮した設計をサポートし、最新の電力管理システムに適しています。

過酷な環境での高信頼性動作をサポート

同期整流用途に最適

電源コンバータの一次側スイッチとしての使用に最適

RoHS準拠およびハロゲンフリー要件に適合

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