Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 80 V, 54.7 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8, SISS126DN-T1-UE3

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RS品番:
735-130
メーカー型番:
SISS126DN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

54.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

シリーズ

SISS126DN

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00825Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.6nC

最大許容損失Pd

57W

順方向電圧 Vf

1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

幅

3.3mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
Vishay NチャンネルMOSFETは、電力管理用途で最適な効率を発揮するように設計されており、指定された制限内で動作しながら高性能を発揮します。

ドレインソース電圧80 Vで動作し、信頼性の高い性能を発揮

電力損失を最小限に抑えるため、非常に低いオン抵抗を実現

最大54.7 Aの高い連続ドレイン電流定格を実現

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