Vishay MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 64 A, 0.0069 Ω, 22 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 1212

N
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RS品番:
735-136
メーカー型番:
SISD5806DN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

64A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

SiS

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0069Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

57W

順方向電圧 Vf

80V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Max

150°C

4mm

高さ

1mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

4mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
DE
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧80 V定格で、AIパワーサーバーソリューションや高効率DC/DCコンバータでの低損失動作向けに特別に設計されています。

連続ドレイン電流64 A @ TC=25 °C

最大消費電力: 57 W

最大総ゲート電荷:33nC

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