Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 59 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS516DN-T1-UE3

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RS品番:
735-241
メーカー型番:
SISS516DN-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.011Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

65.7W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18.3nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO（原産国）:
DE
Vishay NチャンネルMOSFETは、幅広い電子用途で効率的な電力スイッチングを実現するように設計されています。徹底的なゲート抵抗と非クランプ誘導型スイッチングテストにより、信頼性の高い性能を発揮し、過酷な条件下でも堅牢な動作を保証します。このデバイスは、RoHS準拠のハロゲンフリー構造により、環境に配慮した設計をサポートし、最新の電力管理システムに適しています。

過酷な環境での高信頼性動作をサポート

同期整流用途に最適

電源コンバータの一次側スイッチとしての使用に最適

RoHS準拠およびハロゲンフリー要件に適合

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