Vishay MOSFET, Pチャンネル -20 V, -136.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS5207DN-T1-UE3
- RS品番:
- 735-204
- メーカー型番:
- SISS5207DN-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 735-204
- メーカー型番:
- SISS5207DN-T1-UE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | Pチャンネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -136.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -20V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8S | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.011Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 65.7W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 139nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 幅 | 3.4mm | |
| 高さ | 0.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ Pチャンネル | ||
最大連続ドレイン電流Id -136.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -20V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8S | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.011Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 65.7W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 139nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
幅 3.4mm | ||
高さ 0.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay Pチャンネル20 V MOSFETは、コンパクトな電子設計での効率的な負荷スイッチング向けに設計されています。信頼性の高い性能と環境に優しいコンプライアンスを兼ね備え、安全かつ持続可能な動作を保証します。その低電圧機能により、信頼性の高いスイッチングソリューションを必要とする現代の消費者および自動車用途に最適です。
環境安全のためのRoHS準拠を保証
ハロゲンフリー構造により、より安全な使用を実現
負荷スイッチ用途に最適
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