Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 40 A, 0.0029 Ω, 69.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 851-502
- メーカー型番:
- SIR178DP-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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|---|---|
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| 10 - 24 | ￥307 |
| 25 - 99 | ￥180 |
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- RS品番:
- 851-502
- メーカー型番:
- SIR178DP-T1-BE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0029Ω | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.05mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0029Ω | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69.5nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.05mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
高さ 1.04mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- TW
Vishayの高性能NチャンネルパワーMOSFETは、効率的なエネルギー管理のために設計されています。主な機能は、低電力損失で伝導を最適化することで、さまざまな電力用途に適しています。
TrenchFET Gen IVテクノロジーにより、優れた性能を実現
極めて低いオン抵抗により、導通損失を最小限に抑制
低電圧ゲートドライブに対応し、効率を向上
RおよびUIS条件下での信頼性を完全にテスト済み
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