Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 80 V, 116 A, 0.0039 Ω, 44.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK
- RS品番:
- 851-507
- メーカー型番:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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- RS品番:
- 851-507
- メーカー型番:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 116A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | PowerPAK | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0039Ω | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 92.5W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101 Qualified | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 116A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 PowerPAK | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0039Ω | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 92.5W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101 Qualified | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- DE
Vishayの高性能NチャンネルMOSFETは、効率的な電力管理のために設計されています。最大ジャンクション温度175°Cで80 Vで効果的に動作し、さまざまな用途で信頼性の高い堅牢な機能を提供します。
TrenchFET Gen Vテクノロジーにより、優れた性能と効率を実現
非常に低いオン抵抗により、導通時の電力損失を低減
RおよびUISに対して100 %テスト済みで、高い信頼性を保証
放電能力を向上させ、熱性能を向上
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